بررسی ترابرد الکترونی لایه های نازک اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل با غلظت 9/0 مول در لیتر و باز پخت شده در دمای 500 درجه سانتیگراد در محدوده ی دمایی (400-100) درجه کلوین
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
- نویسنده شبنم سرخی اسبقی
- استاد راهنما حسن بیدادی فرامرز هادیان
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسید روی، با استفاده از روش سل – ژل و به کارگیری تکنیک غوطه وری بر روی زیر لایه های شیشه ای تهیه شده اند. از زینک استات دی هیدرات به عنوان ماده اولیه و از محلولهای ایزوپروپانول و دی اتانول آمین به ترتیب به عنوان حلال و پایدار ساز استفاده شده است. غلظت فیلم های تهیه شده 9/0 مول بر لیتر می باشد و این فیلم ها در دمای 500 درجه سانتیگراد بازپخت شده اند. در این تحقیق، وابستگی دمایی ضریب ثابت هال ، مقاومت ویژه ، رسانندگی الکتریکی ، تحرک پذیری ، و چگالی حامل های بار n در لایه های نازک اکسید روی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تجربی نشان می دهد با افزایش دما از 100 درجه کلوین تا 400 درجه کلوین ضریب هال و همچنین مقاومت ویژه لایه ها هر دو کاهش پیدا می کنند، در محدوده دمایی 100 تا 300 کلوین این تغییرات کم می باشد، ولی از 300 تا 400 درجه کلوین به خاطر افزایش تعداد بیشتر حاملهای بار، با افزایش دما، ضریب هال و مقاومت ویژه هر دو سریعاًٌ کاهش پیدا می کنند. به خاطر دارا بودن طبیعت نیمه رسانایی، رسانندگی لایه های اکسید روی با افزایش دما، افزایش پیدا می کنند و این افزایش در محدود? دمایی 300 تا 400 کلوین سریع می باشد. بررسی وابستگی دمایی تحرک پذیری حاملها نشان می دهد که در دماهای پایین با افزایش دما تحرک پذیری افزایش یافته و در دماهای بالا تحرک پذیری حاملها به خاطر برهمکنش حاملها با نوسانات شبکه کاهش پیدا می کند. چگالی حاملهای بار نیز با افزایش دما، افزایش پیدا کرده و این افزایش در دماهای بالا سریع می باشد، که علت آن انتقال حاملها از باند ظرفیت به باند رسانش می باشد.
منابع مشابه
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملمطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای insb نوع n در محدوده دمایی (400- 90) درجه کلوین
نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پ...
15 صفحه اولتهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین
سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می...
ترابرد الکترونی و رسانندگی الکتریکی حاملین بار درتک بلورهای GaAs از نوع P در محدوده‌ی دمایی(400-100) درجه‌ی کلوین
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023